Что Такое Флеш Память В Телефоне. Флеш память телефона что это


Замена флеш-памяти в телефоне - Ремонт мобильных телефонов Минск

Здравствуйте уважаемые посетители сайта!

Актуальными и насущными в последнее время становятся вопросы ремонта наших с Вами телефонов и планшетов в таком виде ремонта замена флеш-памяти. Широкий ряд производителей мобильных телефонов и планшетов таких как известные компании Samsung, HTC, LG, Nokia, Sony, Lenovo, Prestigio, Alcatel, Fly, Texet, да и что говорить, еще много производителей клонов, копий на известные марки, вплоть до сегодняшнего дня  в качестве мест для хранения информации в телефоне используют чипы eMMC, eMCP.

Замена флеш-памяти в телефоне

Уже в одной из статей приходилось останавливаться на данном вопросе и приводилось ряд примеров по методологии замены.

Исходя из практики оказания услуг авторизованными сервисными центрами для того или иного производителя смартфонов и из общения с инженерами таких сервисов, данный вид ремонта мобильных телефонов и планшетов запрещен политикой этого производителя. Что это значит? Если Ваш будь-то Samsung Galaxy серии или Huawei и т.п. сломался с признаками полного "трупа" или начинает сам перезагружаться и андроид работает нестабильно, то придя в авторизованный сервис, все чем Вам смогут помочь, это предложить так называемую SWAP замену, т.е. замену неисправного узла на исправный, а в телефоне это печатная плата.

Таким образом на выходе мы имеем замененную плату в телефоне и потолочную стоимость ремонта, именно такой вид ремонта как правило составляет до 80% стоимости телефона или планшета. Естественно, это очень дорогой вид ремонта. Так вот этой статьёй дается пользователю понять, что есть более экономичные варианты исправления поломок, связанных с "умершими" еММС (флеш памяти). Предлагается производить замену флеш-памяти отдельно, оставляя в дальнейшем работать печатную плату и все ее компоненты. Сразу хочу обратить внимание, что не стоит пугаться, что Ваш телефон или планшет уже не будет так хорошо работать как раньше, отнюдь, девайс прослужит еще достаточно долгое время.

Я обладаю большим опытом ремонта по замене микросхем флеш-памяти достаточно давно, с этим видом работ пришлось работать вплотную с 2012 года. По своему опыту смело могу заявить, что не нужно спешить с решением по замене дорогостоящего узла в телефоне. Эта статья и ориентирована на то чтобы сократить Ваши расходы на ремонт устройства, а ведь это не маловажный факт, имея на выходе такое же работоспособное состояние телефона как и в случае SWAP замены.

Чтобы исключить как можно больше вопросов у Вас предлагаю рассмотреть некоторые тонкие моменты по замене микросхем и от чего зависит стоимость оказанных работ по замене флеш-памяти.

Замена флеш-памяти в телефоне Samsung

Данный вид работ оказывается на все устройства от производителя, до модели Samsung Galaxy S6 SM-G920. Почему? С новой линейки устройств серии Galaxy используется в качестве внутренней памяти микросхема UFS. На данный момент работа с микросхемой невозможна из ряда технологических особенностей реализации и организации обмена передачи данных с процессором. Остальные серии фирмы Samsung восстанавливаются со 100%  успехом. Пример замены флеш-памяти в Samsung Galaxy S5 SM-G900H

Замена флеш-памяти в телефоне HTC

Относительно старые модели, такие как HTC Desire X, HTC Desire S, HTC Desire V, HTC Desire SV, HTC Desire 616, HTC Desire 610 и им подобные, полноценно поддерживают замену микросхемы. Начиная с выпуска моделей серии HTC One M7 и позже есть ряд тонких моментов по восстановлению аппаратов. Т.е. важен факт того что флеш-память в устройстве не "умерла" окончательно, а еще есть возможность считать важную информацию, без которой после замены флеш-памяти телефон уже не будет полноценно работать, не будет работать мобильная сеть и передача данных, грубо говоря - это будет iPod)). Пример замены микросхемы в телефоне HTC One M7

Замена флеш-памяти в телефоне LG

Хотелось бы сказать, что с этими устройствами все намного проще в плане ремонта. На всей линейке до LG D955 (не встречались в ремонте пока еще) полноценно осуществляется замена микросхемы памяти. В основном на данный момент актуальна модель LG Nexus 5 D820, D821, очень много пришлось сделать телефонов с такой проблемой. Объяснение только одно такому факту, производитель в телефон устанавливает флеш-память фирмы "SanDisk", исходя из опыта, микросхема отнюдь не высокого качества.  Пример демонтажа микросхемы с платы телефона LG Nexus 5 D820, D821.

Замена флеш-памяти в телефоне Nokia

Также есть особенности как и в телефонах HTC One M8 замена чипа памяти в плате телефонов Nokia Lumia 520, Nokia Lumia 525, Nokia Lumia 610, Nokia Lumia 625, Nokia Lumia 720, Nokia Lumia 800, Nokia Lumia 820, Nokia Lumia 920, Nokia Lumia 925, Nokia Lumia 1320 и т.д. Компания Nokia использует так называемую защиту, сертификационные данные, без которых при замене новой флеш-памяти телефон будет работать без мобильной сети и передачи данных. Важен факт того, что хотя бы есть маленькая, но вероятность прочесть данные с умирающей микросхемы. Пример замены еММС чипа памяти в телефоне Nokia Lumia 925.

Замена флеш-памяти в телефонах Meizu, Xiaomi

Интересный факт обнаружен в линейке Meizu MX. Не все так просто, в частности остановлюсь на моделях MX4, MX5. Если Вы получили "кирпич" или вышла из строя флеш-память, с уверенности скажу, что предположительно, возможна все же замена чипа или восстановление  прошивки. Под каждую модель производитель шифрует и добавляет файл авторизации для прошивки, это замечено для устройств на базе процессора МТК6595, МТК6795. Это давно уже не секрет, впрочем информацию можно прочитать на любом тематическом форуме, к примеру, на "4ПДА". Пример демонтированной флеш-памяти в телефоне Meizu MX4.

Замена флеш-памяти в Iphone

С данным типом устройств мы не работаем в этом плане оказания услуг. Но в качестве профессионального "ликбеза" пару главных моментов, которые стоит учесть "прошаренному" пользователю девайса, расскажу)). В последнее время наши "заморские" друзья китайцы предлагают относительно недорогие услуги по замене микросхем с объема 16GB на любые более емкие микросхемы 32GB, 64Gb и больше. Такой вид работ уже начинают делать и наши некоторые сервисы города. Если флеш-память умерла окончательно в вашем Iphone 5, 5s, 6, 6s, то замена осуществляется тремя микросхемами и процесс дорогостоящий, иногда проще принять решение на замену платы.

Замена флеш-памяти в телефонах Huawei, ZTE, Lenovo

Сталкиваться с диагнозом выход из строя флеш-памяти на данных телефонах и планшетах доводится не реже чем на остальных устройствах. Все помнят модель Huawei G300 U8815 - это одни из самых первых аппаратов, который вызывал недоумение у пользователя после того как человек просто его мог выключить, а он уже не включился. Да, к сожалению это действительно имеет место. Вопрос был отработан настолько до автоматизма, что на этой модели мастера сразу без диагностики производили замену чипа памяти (есть одно условие, но мы его опустим, так называемый профессиональный секрет, который знать не каждый должен=))). В моделях телефонов линейки Huawei G600, Huawei G610 и им подобные, также Lenovo P780, Lenovo S820 и их ровесникам, ZTE от X Quard И ZTE Memo флеш-память менятся с о 100% успехом и по стоимости гораздо дешевле чем менять плату. Опять же момент, что последние выпускаемые модели, к примеру, Lenovo Vibe x2 с заменой также не так так хорошо как хотелось бы, есть ряд нюансов как и у Meizu MX4.

Технический процесс не стоит на месте, а растет очень стремительно. Производители то и дело стремятся защитить свои устройства от вмешательства посторонних рук)). Но, как говорится: "На любую хитрую гайку найдется свой хитрый болт".

Статья носит исключительно информационный характер, основана на наблюдениях и личном опыте.

Поэтому Друзья, берегите свои любимые дейвасы, и ремонтируйте их только в мастерских с хорошей репутацией, с грамотными и умелыми людьми. Выбор есть всегда. Всем удачи!

 

mobi-service.by

Ремонт и замена флеш-памяти

В современном мире телефон давно вышел за рамки простого средства связи и стал одним из атрибутов практически любого человека. Рынок полон смартфонами в самых разных ценовых категориях, так что позволить себе современный девайс могут многие жители планеты. Однако, как и любая техника, даже самые хорошие телефоны имеют свой эксплуатационный ресурс и со временем требуют ремонта.

Для многих пользователей смартфонов однажды становится актуальным вопрос ремонта или замены флеш-памяти – одного из важнейших узлов современных мобильных устройств. Все известные бренды на данный момент используют в качестве хранилища памяти используют чипы eMMC, eMCP. Что это такое? Это микросхема энергонезависимой памяти, не стоит путать с картой памяти, либо с USB-флеш-накопителем. Благодаря компактности, универсальности, механической прочности, скорости работы и большому объемы памяти данная микросхема стала популярна в изготовлении цифровой техники. Но есть и слабые стороны: относительно не долгий срок эксплуатации и чувствительность к электростатическому заряду.

Основные причины выхода из строя:

  • механические повреждения устройства(падения)
  • попадание жидкости в гаджет
  • заводской дефект
  • естесственный износ

Признаки необходимости ремонта флеш-памяти

Когда становится понятно, что необходимо отправиться в сервисный центр? Если телефон значительно подтормаживает и подвисает, работает нестабильно, перегружается без причины, не сохранияет либо не позволяет удалить данные, висит на заставке – это может быть верный признак того, что пора озаботиться вопросом ремонта смартфона и диагностики на предмет исправности флеш-памяти. Впрочем, нельзя со 100% уверенностью сказать, что вышеозначенные проблемы однозначно связаны с неполадками в работе чипа – достоверная причина будет ясна только после профессиональной диагностики. А вот если девайс просто выключился и никак не реагирует на кнопку включения (при условии, что он заряжен) – это большая вероятность того, что flash-память вышла из строя. Частой причиной такой поломки является неудачная схема электропитания в конкретной модели телефона.

Подводные камни ремонта микрочипа памяти

Стоит обратить внимание на то, что традиционно единственной опцией, которую вам предложат в авторизированном сервисном центре будет замена системной платы (замена нерабочего узла на рабочий). Это связано с политикой многих компаний-производителей, запрещающей вмешательство в чипы, способное значительно удешевить ремонт. В итоге, мы имеем замененную плату и «заоблачную» стоимость починки. Это достаточно дорогостоящий вид ремонта, который подчас может составлять до 70% стоимости агрегата. Такой путь устраивает далеко не каждого собственника.

Многие сервисные центры «попроще» предлагают более дешевые варианты ремонта. Как правило, данный ремонт связан с нагревом микросхем и имеет непродолжительный эффект.

Владельцу гаджета необходимо помнить, что замена чипа флеш-памяти – процедура достаточно сложная и высокоточная, которая требует профессиональных навыков и специализированного оборудования.

Как происходит замена флеш-памяти?

Процесс замены осуществляется в несколько этапов. Вначале произведения замены необходимо разобрать телефон и выпаять чип при соблюдении некоторых технически сложных требований. Далее подготавливается новый чип: прошивается и аккуратно формируются шарики припоя. После этого чип устанавливается на плату. Последним этапом при помощи особого программатора на агрегат устанавливается прошивка. Если работы выполнял квалифицированный мастер, после сборки и тестирования телефон будет полностью готов к эксплуатации и характеристики его работы нисколько не ухудшатся. Напротив, путем замены flash-memory можно увеличить память устройства.

Отдав предпочтение замене flash-памяти вместо замены платы, владелец девайса часто остается в выигрыше и в материальном, и в техническом плане.

С телефонами марок Huawei, Samsung, HTC, LG, Lenovo и других популярных брендов поиск адекватного мастера и заказ услуги по замене флеш-памяти не составит почти никакого труда, а вот владельцам iPhone в этом плане придется сильно постараться – мало кто берется за высокоточный ремонт сложной «яблочной» техники. И стоит иметь в виду – если микрочип памяти на iPhone полностью вышел из строя, замена выполняется с помощью 3-4 микросхем попутно (зависит от конкретной модели) и из-за этого может стоить даже дороже, чем замена платы.

Почему стоит доверить замену флеш-памяти сервис-центру ge store 

  • Наличие профессионального оборудование и качественных запчастей
  • Оперативное исполнение данной работы
  • Огромный опыт работы компетентных инженеров в этой области
  • Привлекательные цены
  • И конечно предоставление гарантии на работы и запчасти

service.gestore.ru

Нюансы восстановления флеш-памяти на примере моделей HTC

В наше время вопрос восстановления работоспособности мобильного телефона очень актуальный, особенно, если речь идет о замене флеш-памяти устройства. Мировые производители известных во всем мире брендов используют, для сохранения базовой памяти, чипы eMMC и eMCP. По общим данным от источника, достойного доверия, замена флеш-памяти не одобряется политикой самих производителей. А именно, когда ваш планшет или телефон начинает себя вести подозрительно, сообщая о нарушении работы системных файлов, или эту проблему выявляет диагностика в сервисном центре. Вам могут предложить полностью заменить узел SWAP, представляющий собой печатную плату. В результате имеем рабочий телефон, ремонт которого будет оценен почти в 80% его стоимости. Вот эту тенденцию и пытается сохранить политика производителей, умалчивая, что существуют более экономичные возможности замены, вышедшего из строя еММС.

В этой статье мы поговорим об этой возможности, заключающейся в том, чтобы оставить в покое печатную плату и все ее компоненты, кроме флеш-памяти, представленной в виде чипа еММС. Ведь иногда целесообразно не менять полностью дорогостоящую плату, когда можно всего лишь убрать дефективный чип, заменив его новым. Можно детально рассмотреть некоторые нюансы по замене микросхем на примере некоторых моделей смартфонов HTC.

Устаревшие модели HTC Desire (X, S, V, SV, 616, 610) вполне терпимо выдерживают операцию по замене одной микросхемы на плате SWAP. Однако, более поздние модели, такие как HTC One M7, требуют более тонкого подхода и знания некоторых практических моментов, связанных с восстановлением устройства. А именно, факт того, что необходимо не пропустить возможность считать важную информацию с повреждённой флеш-памяти в этих моделях, восстановив хотя бы частично работоспособность телефона. Действительно, после замены микросхемы в моделях HTC One запчасти, приобретаемые у поставщика комплектующих, носят чисто утилитарное (узко практическое) назначение. Необходимые данные в них отсутствуют и телефон не сможет полноценно работать. В устройстве, прошедшем операцию по восстановлению, останутся только мультимедийные функции воспроизведения файлов (с возможностью записывать и фотографировать). Грубо выражаясь, вы получите телефон «вне сети».

Компания-производитель мобильных устройств HTC пользуется своеобразной защитой. Данные сертификатов, необходимые для работы устройства в сетях существующих мобильных операторов, являются условиями серийной предустановки. Даже опытный мастер, взявшийся за такую работу сможет вам пообещать небольшой шанс прочесть данные с поврежденной микросхемы.

Прогресс не знает преград, набирая обороты. Это негласное соперничество между производителями, желающими не потерять прибыль, и потребителями, создающими спрос на качественные запчасти и ремонт, постоянно раскачивающими чашу весов в ту или иную сторону. Поэтому хорошей рекомендацией будет совет, обращаться в мастерские с хорошей репутацией и оборудованием. Выбирать надежного поставщика запчастей, которым среди прочих является компания «GSM Forsage», где вы сможете приобрести запчасти для смартфонов HTC в надлежащем качестве и с гарантией от поставщика.

pcclub.com.ua

Флеш память - это... Что такое Флеш память?

Сюда перенаправляется запрос Флэш-карты. На тему «Флэш-карты» нужна отдельная статья.

Флеш‐память (англ. Flash-Memory) — разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти.

Она может быть прочитана сколько угодно раз, но писать в такую память можно лишь ограниченное число раз (максимально — около миллиона циклов[1]). Распространена флеш-память, выдерживающая около 100 тысяч циклов перезаписи — намного больше, чем способна выдержать дискета или жёстких дисков, более надёжна и компактна.

Благодаря своей компактности, дешевизне и низком энергопотреблении флеш‐память широко используется в портативных устройствах, работающих на батарейках и аккумуляторах — цифровых фотокамерах и видеокамерах, цифровых диктофонах, MP3-плеерах, КПК, мобильных телефонах, а также смартфонах и коммуникаторах. Кроме того, она используется для хранения встроенного программного обеспечения в различных устройствах (маршрутизаторах, мини‐АТС, принтерах, сканерах), различных контроллерах.

Так же в последнее время широкое распространение получили «флешка», USB‐драйв, USB‐диск), практически вытеснившие дискеты и CD. Одним из первых флэшки JetFlash в 2002 году начал выпускать тайваньский концерн SSD накопителей объёмом 256 ГБ и более.

Ещё один недостаток устройств на базе флеш‐памяти по сравнению с жёсткими дисками — как ни странно, меньшая скорость. Несмотря на то, что производители SSD накопителей заверяют, что скорость этих устройств выше скорости винчестеров, в реальности она оказывается ощутимо ниже. Конечно, SSD накопитель не тратит подобно винчестеру время на разгон, позиционирование головок и т. п. Но время чтения, а тем более записи, ячеек флеш‐памяти, используемой в современных SSD накопителях, больше. Что и приводит к значительному снижению общей производительности. Справедливости ради следует отметить, что последние модели SSD накопителей и по этому параметру уже вплотную приблизились к винчестерам. Однако, эти модели пока слишком дороги.

Принцип действия

Программирование флеш-памяти

Стирание флеш-памяти

Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками (англ. cell). В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками (англ. single-level cell, SLC), каждая из них может хранить только один бит. Некоторые новые устройства с многоуровневыми ячейками (англ. multi-level cell, MLC) могут хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе транзистора.

NOR

В основе этого типа флеш-памяти лежит ИЛИ‑НЕ элемент (англ. NOR), потому что в транзисторе с плавающим затвором низкое напряжение на затворе обозначает единицу.

Транзистор имеет два затвора: управляющий и плавающий. Последний полностью изолирован и способен удерживать электроны до 10 лет. В ячейке имеются также сток и исток. При программировании напряжением на управляющем затворе создаётся электрическое поле и возникает туннельный эффект. Некоторые электроны туннелируют через слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут пребывать. Заряд на плавающем затворе изменяет «ширину» канала сток-исток и его проводимость, что используется при чтении.

Программирование и чтение ячеек сильно различаются в энергопотреблении: устройства флеш-памяти потребляют достаточно большой ток при записи, тогда как при чтении затраты энергии малы.

Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.

В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы. Эта проблема решается с помощью NAND архитектуры.

NAND

В основе NAND типа лежит И-НЕ элемент (англ. NAND). Принцип работы такой же, от NOR типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Так же запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.

NAND и NOR архитектуры сейчас существуют параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят применение в разных областях хранения данных.

История

Флеш-память была изобретена Фудзи Масуока (Fujio Masuoka), когда он работал в 1984 году. Имя «флеш» было придумано также в Toshiba коллегой Фудзи, Сёдзи Ариизуми (Shoji Ariizumi), потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash). Масуока представил свою разработку на IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-Франциско, Калифорния. 1988 году выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR-типа.

NAND-тип флеш-памяти был анонсирован Toshiba в 1989 году на International Solid-State Circuits Conference. У него была больше скорость записи и меньше площадь чипа.

На конец 2008 года, лидерами по производству флеш-памяти являются Samsung (31% рынка) и Toshiba (19% рынка, включая совместные заводы с Sandisk). (Данные согласно iSupply на Q4'2008). Стандартизацией чипов флеш-памяти типа NAND занимается Open NAND Flash Interface Working Group (ONFI). Текущим стандартом считается спецификация ONFI версии 1.0[2], выпущенная 28 декабря 2006 года. Группа ONFI поддерживается конкурентами Samsung и Toshiba в производстве NAND чипов: Hynix и Micron Technology.[3]

Характеристики

Скорость некоторых устройств с флеш-памятью может доходить до 100 Мб/с[4]. В основном флеш-карты имеют большой разброс скоростей и обычно маркируются в скоростях стандартного CD-привода (150 КБ/с). Так указанная скорость в 100x означает 100 × 150 КБ/с = 15 000 КБ/с= 14.65 МБ/с.

В основном объём чипа флеш-памяти измеряется от килобайт до нескольких гигабайт.

В 2005 году SanDisk представили NAND чипы объёмом 1 ГБ[5], выполненные по технологии многоуровневых ячеек, где один транзистор может хранить несколько бит, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе.

Компания Samsung в сентябре 2006 года представила 8 ГБ чип, выполненный по 40-нм технологическому процессу[6]. В конце 2007 года Samsung сообщила о создании первого в мире MLC (multi-level cell) чипа флеш-памяти типа NAND, выполненного по 30-нм технологическому процессу. Ёмкость чипа также составляет 8 ГБ. Ожидается, что в массовое производство чипы памяти поступят в 2009 году.

Для увеличения объёма в устройствах часто применяется массив из нескольких чипов. К 2007 году USB устройства и карты памяти имели объём от 512 МБ до 64 ГБ. Самый большой объём USB устройств составлял 4 ТБ.

Файловые системы

Основное слабое место флеш-памяти — количество циклов перезаписи. Ситуация ухудшается также в связи с тем, что ОС часто записывает данные в одно и то же место. Например, часто обновляется таблица файловой системы, так что первые сектора памяти израсходуют свой запас значительно раньше. Распределение нагрузки позволяет существенно продлить срок работы памяти.

Для решения этой проблемы были созданы специальные файловые системы: JFFS2[7] и YAFFS[8] для GNU/Linux и Microsoft Windows.

SecureDigital и FAT.

Применение

Флеш-карты разных типов (спичка отображена для оценки размеров)

Флеш-память наиболее известна применением в USB флеш-носителях (англ. USB flash drive). В основном применяется NAND тип памяти, которая подключается через USB по интерфейсу USB mass storage device (USB MSC). Данный интерфейс поддерживается всеми ОС современных версий.

Благодаря большой скорости, объёму и компактным размерам USB флеш-носители полностью вытеснили с рынка дискеты. Например, компания 2003 года перестала выпускать компьютеры с дисководом гибких дисков[9].

В данный момент выпускается широкий ассортимент USB флеш-носителей, разных форм и цветов. На рынке присутствуют флешки с автоматическим шифрованием записываемых на них данных. Японская компания Solid Alliance даже выпускает флешки в виде еды[10].

Есть специальные дистрибутивы GNU/Linux и версии программ, которые могут работать прямо с USB носителей, например, чтобы пользоваться своими приложениями в интернет-кафе.

Технология Windows Vista способна использовать USB-флеш носитель или специальную флеш-память, встроенную в компьютер, для увеличения быстродействия[11]. На флеш-памяти также основываются карты памяти, такие как SecureDigital (SD) и Memory Stick, которые активно применяются в портативной технике (фотоаппараты, мобильные телефоны). Вкупе с USB носителями флеш-память занимает большую часть рынка переносных носителей данных.

NOR тип памяти чаще применяется в BIOS и ROM-памяти устройств, таких как DSL модемы, маршрутизаторы и т. д. Флеш-память позволяет легко обновлять прошивку устройств, при этом скорость записи и объём для таких устройств не так важны.

Сейчас активно рассматривается возможность замены жёстких дисков на флеш‑память. В результате увеличится скорость включения компьютера, а отсутствие движущихся деталей увеличит срок службы. Например, в XO-1, «ноутбуке за 100 $», который активно разрабатывается для стран третьего мира, вместо жёсткого диска будет использоваться флеш-память объёмом 1 ГБ[12]. Распространение ограничивает высокая цена за ГБ и меньший срок годности, чем у жёстких дисков из-за ограниченного количества циклов записи.

Типы карт памяти

Существуют несколько типов карт памяти, используемых в портативных устройствах:

MMC (MultiMedia Card): карточка в формате MMC имеет небольшой размер — 24×32×1,4 мм. Разработана совместно компаниями SanDisk и Siemens. MMC содержит контроллер памяти и обладает высокой совместимостью с устройствами самого различного типа. В большинстве случаев карты MMC поддерживаются устройствами со слотом SD.

RS-MMC (Reduced Size MultiMedia Card): карта памяти, которая вдвое короче стандартной карты MMC. Её размеры составляют 24×18×1,4 мм, а вес — около 6 г, все остальные характеристики не отличаются от MMC. Для обеспечения совместимости со стандартом MMC при использовании карт RS-MMC нужен адаптер. DV-RS-MMC (Dual Voltage Reduced Size MultiMedia Card): карты памяти DV-RS-MMC с двойным питанием (1,8 и 3,3 В) отличаются пониженным энергопотреблением, что позволит работать мобильному телефону немного дольше. Размеры карты совпадают с размерами RS-MMC, 24×18×1,4 мм. MMCmicro: миниатюрная карта памяти для мобильных устройств с размерами 14×12×1,1 мм. Для обеспечения совместимости со стандартным слотом MMC необходимо использовать переходник.

SD Card (Secure Digital Card): поддерживается фирмами Panasonic и SD (Trans-Flash) и SDHC (High Capacity): Старые карты SD так называемые Trans-Flash и новые SDHC (High Capacity) и устройства их чтения различаются ограничением на максимальную ёмкость носителя, 2 ГБ для Trans-Flash и 32 ГБ для High Capacity (Высокой Ёмкости). Устройства чтения SDHC обратно совместимы с SDTF, то есть SDTF карта будет без проблем прочитана в устройстве чтения SDHC, но в устройстве SDTF увидится только 2 ГБ от ёмкости SDHC большей ёмкости, либо не будет читаться вовсе. Предполагается, что формат TransFlash будет полностью вытеснен форматом SDHC. Оба суб-формата могут быть представлены в любом из трёх форматов физ. размеров (Стандартный, mini и micro). miniSD (Mini Secure Digital Card): От стандартных карт Secure Digital отличаются меньшими размерами 21,5×20×1,4 мм. Для обеспечения работы карты в устройствах, оснащённых обычным SD-слотом, используется адаптер. microSD (Micro Secure Digital Card): являются на настоящий момент (2008) самыми компактными съёмными устройствами флеш-памяти (11×15×1 мм). Используются, в первую очередь, в мобильных телефонах, коммуникаторах, и т. п., так как, благодаря своей компактности, позволяют существенно расширить память устройства, не увеличивая при этом его размеры. Переключатель защиты от записи вынесен на адаптер microSD-SD.

MS Duo (Memory Stick Duo): данный стандарт памяти разрабатывался и поддерживается компанией MS Duo (Memory Stick Duo): Данный формат является конкурентом формата microSD (по аналогичному размеру), сохраняя преимущества карт памяти Sony.

xD-Picture Card: используются в цифровых фотоаппаратах фирм Fuji и некоторых других.

Примечания

См. также

Ссылки

Wikimedia Foundation. 2010.

dic.academic.ru

память - это... Что такое Флэш-память?

Сюда перенаправляется запрос Флэш-карты. На тему «Флэш-карты» нужна отдельная статья.

Флеш‐память (англ. Flash-Memory) — разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти.

Она может быть прочитана сколько угодно раз, но писать в такую память можно лишь ограниченное число раз (максимально — около миллиона циклов[1]). Распространена флеш-память, выдерживающая около 100 тысяч циклов перезаписи — намного больше, чем способна выдержать дискета или жёстких дисков, более надёжна и компактна.

Благодаря своей компактности, дешевизне и низком энергопотреблении флеш‐память широко используется в портативных устройствах, работающих на батарейках и аккумуляторах — цифровых фотокамерах и видеокамерах, цифровых диктофонах, MP3-плеерах, КПК, мобильных телефонах, а также смартфонах и коммуникаторах. Кроме того, она используется для хранения встроенного программного обеспечения в различных устройствах (маршрутизаторах, мини‐АТС, принтерах, сканерах), различных контроллерах.

Так же в последнее время широкое распространение получили «флешка», USB‐драйв, USB‐диск), практически вытеснившие дискеты и CD. Одним из первых флэшки JetFlash в 2002 году начал выпускать тайваньский концерн SSD накопителей объёмом 256 ГБ и более.

Ещё один недостаток устройств на базе флеш‐памяти по сравнению с жёсткими дисками — как ни странно, меньшая скорость. Несмотря на то, что производители SSD накопителей заверяют, что скорость этих устройств выше скорости винчестеров, в реальности она оказывается ощутимо ниже. Конечно, SSD накопитель не тратит подобно винчестеру время на разгон, позиционирование головок и т. п. Но время чтения, а тем более записи, ячеек флеш‐памяти, используемой в современных SSD накопителях, больше. Что и приводит к значительному снижению общей производительности. Справедливости ради следует отметить, что последние модели SSD накопителей и по этому параметру уже вплотную приблизились к винчестерам. Однако, эти модели пока слишком дороги.

Принцип действия

Программирование флеш-памяти

Стирание флеш-памяти

Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками (англ. cell). В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками (англ. single-level cell, SLC), каждая из них может хранить только один бит. Некоторые новые устройства с многоуровневыми ячейками (англ. multi-level cell, MLC) могут хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе транзистора.

NOR

В основе этого типа флеш-памяти лежит ИЛИ‑НЕ элемент (англ. NOR), потому что в транзисторе с плавающим затвором низкое напряжение на затворе обозначает единицу.

Транзистор имеет два затвора: управляющий и плавающий. Последний полностью изолирован и способен удерживать электроны до 10 лет. В ячейке имеются также сток и исток. При программировании напряжением на управляющем затворе создаётся электрическое поле и возникает туннельный эффект. Некоторые электроны туннелируют через слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут пребывать. Заряд на плавающем затворе изменяет «ширину» канала сток-исток и его проводимость, что используется при чтении.

Программирование и чтение ячеек сильно различаются в энергопотреблении: устройства флеш-памяти потребляют достаточно большой ток при записи, тогда как при чтении затраты энергии малы.

Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.

В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы. Эта проблема решается с помощью NAND архитектуры.

NAND

В основе NAND типа лежит И-НЕ элемент (англ. NAND). Принцип работы такой же, от NOR типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Так же запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.

NAND и NOR архитектуры сейчас существуют параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят применение в разных областях хранения данных.

История

Флеш-память была изобретена Фудзи Масуока (Fujio Masuoka), когда он работал в 1984 году. Имя «флеш» было придумано также в Toshiba коллегой Фудзи, Сёдзи Ариизуми (Shoji Ariizumi), потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash). Масуока представил свою разработку на IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-Франциско, Калифорния. 1988 году выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR-типа.

NAND-тип флеш-памяти был анонсирован Toshiba в 1989 году на International Solid-State Circuits Conference. У него была больше скорость записи и меньше площадь чипа.

На конец 2008 года, лидерами по производству флеш-памяти являются Samsung (31% рынка) и Toshiba (19% рынка, включая совместные заводы с Sandisk). (Данные согласно iSupply на Q4'2008). Стандартизацией чипов флеш-памяти типа NAND занимается Open NAND Flash Interface Working Group (ONFI). Текущим стандартом считается спецификация ONFI версии 1.0[2], выпущенная 28 декабря 2006 года. Группа ONFI поддерживается конкурентами Samsung и Toshiba в производстве NAND чипов: Hynix и Micron Technology.[3]

Характеристики

Скорость некоторых устройств с флеш-памятью может доходить до 100 Мб/с[4]. В основном флеш-карты имеют большой разброс скоростей и обычно маркируются в скоростях стандартного CD-привода (150 КБ/с). Так указанная скорость в 100x означает 100 × 150 КБ/с = 15 000 КБ/с= 14.65 МБ/с.

В основном объём чипа флеш-памяти измеряется от килобайт до нескольких гигабайт.

В 2005 году SanDisk представили NAND чипы объёмом 1 ГБ[5], выполненные по технологии многоуровневых ячеек, где один транзистор может хранить несколько бит, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе.

Компания Samsung в сентябре 2006 года представила 8 ГБ чип, выполненный по 40-нм технологическому процессу[6]. В конце 2007 года Samsung сообщила о создании первого в мире MLC (multi-level cell) чипа флеш-памяти типа NAND, выполненного по 30-нм технологическому процессу. Ёмкость чипа также составляет 8 ГБ. Ожидается, что в массовое производство чипы памяти поступят в 2009 году.

Для увеличения объёма в устройствах часто применяется массив из нескольких чипов. К 2007 году USB устройства и карты памяти имели объём от 512 МБ до 64 ГБ. Самый большой объём USB устройств составлял 4 ТБ.

Файловые системы

Основное слабое место флеш-памяти — количество циклов перезаписи. Ситуация ухудшается также в связи с тем, что ОС часто записывает данные в одно и то же место. Например, часто обновляется таблица файловой системы, так что первые сектора памяти израсходуют свой запас значительно раньше. Распределение нагрузки позволяет существенно продлить срок работы памяти.

Для решения этой проблемы были созданы специальные файловые системы: JFFS2[7] и YAFFS[8] для GNU/Linux и Microsoft Windows.

SecureDigital и FAT.

Применение

Флеш-карты разных типов (спичка отображена для оценки размеров)

Флеш-память наиболее известна применением в USB флеш-носителях (англ. USB flash drive). В основном применяется NAND тип памяти, которая подключается через USB по интерфейсу USB mass storage device (USB MSC). Данный интерфейс поддерживается всеми ОС современных версий.

Благодаря большой скорости, объёму и компактным размерам USB флеш-носители полностью вытеснили с рынка дискеты. Например, компания 2003 года перестала выпускать компьютеры с дисководом гибких дисков[9].

В данный момент выпускается широкий ассортимент USB флеш-носителей, разных форм и цветов. На рынке присутствуют флешки с автоматическим шифрованием записываемых на них данных. Японская компания Solid Alliance даже выпускает флешки в виде еды[10].

Есть специальные дистрибутивы GNU/Linux и версии программ, которые могут работать прямо с USB носителей, например, чтобы пользоваться своими приложениями в интернет-кафе.

Технология Windows Vista способна использовать USB-флеш носитель или специальную флеш-память, встроенную в компьютер, для увеличения быстродействия[11]. На флеш-памяти также основываются карты памяти, такие как SecureDigital (SD) и Memory Stick, которые активно применяются в портативной технике (фотоаппараты, мобильные телефоны). Вкупе с USB носителями флеш-память занимает большую часть рынка переносных носителей данных.

NOR тип памяти чаще применяется в BIOS и ROM-памяти устройств, таких как DSL модемы, маршрутизаторы и т. д. Флеш-память позволяет легко обновлять прошивку устройств, при этом скорость записи и объём для таких устройств не так важны.

Сейчас активно рассматривается возможность замены жёстких дисков на флеш‑память. В результате увеличится скорость включения компьютера, а отсутствие движущихся деталей увеличит срок службы. Например, в XO-1, «ноутбуке за 100 $», который активно разрабатывается для стран третьего мира, вместо жёсткого диска будет использоваться флеш-память объёмом 1 ГБ[12]. Распространение ограничивает высокая цена за ГБ и меньший срок годности, чем у жёстких дисков из-за ограниченного количества циклов записи.

Типы карт памяти

Существуют несколько типов карт памяти, используемых в портативных устройствах:

MMC (MultiMedia Card): карточка в формате MMC имеет небольшой размер — 24×32×1,4 мм. Разработана совместно компаниями SanDisk и Siemens. MMC содержит контроллер памяти и обладает высокой совместимостью с устройствами самого различного типа. В большинстве случаев карты MMC поддерживаются устройствами со слотом SD.

RS-MMC (Reduced Size MultiMedia Card): карта памяти, которая вдвое короче стандартной карты MMC. Её размеры составляют 24×18×1,4 мм, а вес — около 6 г, все остальные характеристики не отличаются от MMC. Для обеспечения совместимости со стандартом MMC при использовании карт RS-MMC нужен адаптер. DV-RS-MMC (Dual Voltage Reduced Size MultiMedia Card): карты памяти DV-RS-MMC с двойным питанием (1,8 и 3,3 В) отличаются пониженным энергопотреблением, что позволит работать мобильному телефону немного дольше. Размеры карты совпадают с размерами RS-MMC, 24×18×1,4 мм. MMCmicro: миниатюрная карта памяти для мобильных устройств с размерами 14×12×1,1 мм. Для обеспечения совместимости со стандартным слотом MMC необходимо использовать переходник.

SD Card (Secure Digital Card): поддерживается фирмами Panasonic и SD (Trans-Flash) и SDHC (High Capacity): Старые карты SD так называемые Trans-Flash и новые SDHC (High Capacity) и устройства их чтения различаются ограничением на максимальную ёмкость носителя, 2 ГБ для Trans-Flash и 32 ГБ для High Capacity (Высокой Ёмкости). Устройства чтения SDHC обратно совместимы с SDTF, то есть SDTF карта будет без проблем прочитана в устройстве чтения SDHC, но в устройстве SDTF увидится только 2 ГБ от ёмкости SDHC большей ёмкости, либо не будет читаться вовсе. Предполагается, что формат TransFlash будет полностью вытеснен форматом SDHC. Оба суб-формата могут быть представлены в любом из трёх форматов физ. размеров (Стандартный, mini и micro). miniSD (Mini Secure Digital Card): От стандартных карт Secure Digital отличаются меньшими размерами 21,5×20×1,4 мм. Для обеспечения работы карты в устройствах, оснащённых обычным SD-слотом, используется адаптер. microSD (Micro Secure Digital Card): являются на настоящий момент (2008) самыми компактными съёмными устройствами флеш-памяти (11×15×1 мм). Используются, в первую очередь, в мобильных телефонах, коммуникаторах, и т. п., так как, благодаря своей компактности, позволяют существенно расширить память устройства, не увеличивая при этом его размеры. Переключатель защиты от записи вынесен на адаптер microSD-SD.

MS Duo (Memory Stick Duo): данный стандарт памяти разрабатывался и поддерживается компанией MS Duo (Memory Stick Duo): Данный формат является конкурентом формата microSD (по аналогичному размеру), сохраняя преимущества карт памяти Sony.

xD-Picture Card: используются в цифровых фотоаппаратах фирм Fuji и некоторых других.

Примечания

См. также

Ссылки

Wikimedia Foundation. 2010.

med.academic.ru

Что значит отформатировать карту памяти? Зачем это нужно и как это сделать?

Бывает, что при установке новой карты памяти в телефон, он ее не воспринимает, или сбой на карте памяти. Формат карты памяти проводят через меню телефона, при этом формат производится под телефон (как правило в системе FAT). На каждой модели телефона форматирование отличается, но в основном сводится к одному - меню - .найти карту памяти и в функциях - формат.

Это значит удалить от туда всё содержимое. И восстановить потом будет проблемотично.

Это значит все удалить.

Отформатировать - значит уничтожить (удалить) все содержимое. Форматирование нужно, к примеру для освобождения памяти либо если на карте вирусы и хотите избавится, но ничего не помогает лучший вариант - форматирование. Ибо хотите иметь свободную карту, на всякий случай - форматируйте. И т. п. Для форматирования просто удалите все содержимое ибо в контекстном меню можно найти "Форматирование" и выбрать что именно нужно форматировать.

значит стереть все содержимое такая функция как правило доступна в меню

Формати́рование ди́ска — процесс разметки устройств хранения или носителей информации: жёстких дисков, дискет, устройств хранения на основе флеш-памяти, оптических носителей и др. Существуют разные способы этого процесса. Само форматирование заключается в создании (формировании) структур доступа к данным, например структур файловой системы. При этом, вся находящаяся на носителе информация теряется или уничтожается. В процессе форматирования также может проверяться целостность носителя. Собственно при форматировании карты памяти полностью очищается ее содержимое, а сама карта делится на т. н. дорожки, на которые будет производиться запись.

форматирование - это группирование секторов в кластеры, при этом создается файловая таблица для того чтобы контроллер знал на каких кластерах какой файл записан, и где его начало, а где конец, но это очень упрощенно.. . файл может записаться не подряд, а в разных местах памяти, а вот это уже фрагментация, соответственно скорость записи и чтения уменьшается, но для карт памяти это не актуально.

СОХ РА НИТСЯ ЛИ АКУНТ НА КАРТЕ

отформатиРОВАТЬ КАРТУ ПАМЯТИ значит очистить все фотки и видео

touch.otvet.mail.ru

Что Такое Флеш Память В Телефоне ~ Повседневные вопросы

карта флэш-памяти это:

Универсальный русско-немецкий словарь . Академик.ру . 2011 .

LG P765 не включается. Замена флеш памяти 😉

Глядеть что такое карта флэш-памяти в других словарях:

карта флэш-памяти — Маленькая карточка памяти, совместимая с компьютером. [http://www.iks media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324] Темы электросвязь, главные понятия EN flash memory card … Справочник технического переводчика.

Флэш-карта — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она#8230; … Википедия.

Флэш-диск — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она#8230; … Википедия.

Флэш-карты — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она#8230; … Википедия.

Флэш диск — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она#8230; … Википедия.

Флэш-память — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она#8230; … Википедия.

Универсальный флэш-накопитель — (англ. Universal Flash Storage [UFS])#160; предложенная общая спецификация флэш накопителей для цифровых фотоаппаратов, сотовых телефонов и потребительских видов электроники[1]. Это могло бы привести к более высокой скорости передачи данных и#8230; … Википедия.

EToken — смарт карта и USB ключ eToken PRO, eToken NG FLASH, eToken NG OTP, eToken PRO (Java) и eToken PASS eToken (от англ.#160;electronic#160; электронный и англ.#160;token#160; признак, жетон)#160; торговая марка для линейки персональных средств#8230; … Википедия.

Intel — (Интел) Компания Intel, история компании, деятельность компании Информация о компании Intel, история компании, деятельность компании Содержание Содержание Core Описание Intel Продукция фирмы Intel Технические характеристики Преимущества и#8230; … Энциклопедия инвестора.

СЭСППЗУ — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она#8230; … Википедия.

Флеш память — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она#8230; … Википедия.

Тезисы

Что такое флэш-память. Флеш- память – это вид твёрдотельной энергонезависимой, перезаписываемой памяти. Память Андроид-телефонов: RAM(ОЗУ), ROM(ПЗУ). То, что в ней МикроSD монтируется в /etc/SDCARD на телефоне. Эту память можно что такое. Что такое флэш-память. Что такое флэш-память? Флеш- память но в отличии от ОЗУ, флеш-память хранит данные при. Флеш-память — Википедия. Дело в том, что запись и В 2000 году флеш-память по технологии (есть и такое. Замена чипа памяти (flash) в телефоне HTC desire V. в телефоне htc Здравствуйте ,Есть ли смысл заменять флеш память на что флеш. Замена флеш-памяти в телефоне | Ремонт. Замена флеш-памяти в телефоне. такое же написано что сломана флеш память. Моя борьба с сообщением "Память телефона. В Android-телефоне есть или как большой файл может быть загружен в память То, что в. Замена флеш (eMMC) памяти | Лучшая цена по. Что такое флеш память, в моделях Lenovo на процессорах MTK память в большинстве случаев. Глоссарий: Слот для карт памяти. Что такое Слот для. В мобильных На данный момент — это самая дорогая память из всех Что такое Слот. Что такое внутренняя память телефона. Что такое Но внутренняя память телефона в первую Мне из 8 гб в телефоне.

Похожие вопросы

kartaklada.ru